大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫齿轮计算公式汇总，齿轮全齿高计算公式(xīn)保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）齿轮计算公式汇总，齿轮全齿高计算公式等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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